【 ISO 11452-4 Ed.5 2020の試験概要 】

１．一般的事項

この規格は、車両搭載電子機器に接続されたハーネスに強い磁界ノイズが誘起した際の耐性を評価する試験で、BCI法（置換法と閉ループ法 1MHz～400MHz）とTWC法（400MHz～3GHz）があります。

２．試験レベル

〔BCI法のレベル（例）〕　

※Ｆ＝周波数MHz

〔TWC法のレベル（例）〕　

※f＝周波数MHz　lg＝10の対数

BCI法のレベル（例）

TWC法のレベル（例）

〔厳しさレベル（例）〕

※BCI試験とTWC試験では異なる場合があります。

○ 変調：ISO11452-1参照

３．試験の配置(非シールド電力システム)

〔共通項目〕

○ グラウンドプレーン：

　・厚さ0.5mm min ／ 幅1000mm min ／ 長さ2000mm min（閉ループ法の場合、長さ1500mm）、銅、真鍮または亜鉛メッキ鋼

　・高さは床の上で900mm±100ｍｍ

　・直流抵抗2.5mΩ以下でシールドルームに接合します。（300mm以下。最長対幅の比は7:1）

○ 電源及び疑似電源回路網（AN）：

　・5μH/50Ω（遠隔で設置されたDUTの場合、プラスとマイナスで２個のANを使用。）

　・ANの測定ポートは50Ω終端。

　・電源リターンはグラウンドプレーンと接続します。

○ 供試品(DUT)：

　・グラウンドプレーンから50mm±5mmの絶縁物（εr≦1.4）の上に配置します

　・グラウンドプレーンの先端から100mmに配置します。

　・シールドルームなどの壁面から最小500mm 離します。

○ 試験ハーネス：

　・試験ハーネス長：全長1700mm(+300/-0 mm)以内（閉ループ法の場合、1000mm(+200/-0mm)）

　・試験ハーネス高さ：50mm±5mmの絶縁物（εr≦1.4）の上に配置します。

　・グラウンドプレーンの端から200mmに平行に配置します。

　・他とは100ｍｍ離す。

○ 負荷シミュレータ：

　・グラウンドプレーンに直接配置するのが望ましいです。（負荷シミュレーターが金属製の場合はグラウンドプレーン上に直接配置します。）

〔置換法〕

○ インジェクションプローブ：DUTコネクタから150mm±50mmまたは450mm±５0mm、750mm±５0mmに設置します。

　※電流測定プローブを使用する場合、DUTコネクタから50mm±10mmに設置します。

〔閉ループ法〕

○ インジェクションプローブ：DUTコネクタから900mm±10mmに設置します。

　※電流測定プローブは、供試品(DUT)コネクタから50mm±10mmに設置します。

〔TWC法〕

○ 管状波結合器：DUTから100mm±10mmに設置かつグラウンドプレーンの先端から離します。

○ 50Ω負荷抵抗器：グラウンドプレーンから絶縁し、ワイヤーハーネスから200mm以上離して設置します。

【BCI法-置換法-】

d:DUTのコネクタからの距離ｄに設置される。

－　d=(150±10)mm

－　d=(450±10)mm

－　d=(750±10)mm

1：DUT（試験計画において必要とされるなら、接地される）

2：試験ハーネス

3：負荷シミュレータ

4：負荷用モニタ

5：電源

6：AN（擬似回路網）

7：光ファイバ

8：高周波装置

10：インジェクションプローブ

11：接地面（シールドルームに接続）

12：低比誘電率サポート（εr≦1.4）

13：シールドルーム

【BCI法-閉ループ法-】

1：DUT（試験計画で規定されていれば、接地する）

2：ワイヤハーネス

3：負荷シミュレータ

4：負荷用モニタ

5：電源

6：AN（擬似回路網）

7：光ファイバ

8：高周波装置

9：50Ω終端

10：管状波結合器

11：接地面（シールドルームに接続）

12：低比誘電率サポート（εr≦1.4）

13：シールドルーム

【TWC法】

1：DUT（試験計画において必要とされるなら、接地される）

2：試験ハーネス

3：負荷シミュレータ

4：負荷用モニタ

5：電源

6：AN（擬似回路網）

7：光ファイバ

8：高周波装置

9：モニタプローブ

10：インジェクションプローブ

11：接地面（シールドルームに接続）

12：低比誘電率サポート（εr≦1.4）

13：シールドルーム

4．試験の配置(シールド電カシステム)

○ グラウンドプレーン：非シールドと同じなため省略

○ 電源及び疑似電源回路網：

　・5 μ H/50 Ω AN（DC HVはHV-AN、AC電源はAMN）

　・電源導線はHV-ANまたはAMNを介して電源（DCHV電源／AC電源）に接続

　・HV-ANはグラウンドプレーン上にボンディングして直接取り付ける。

　・HV-AN、AMNの測定ポートは50Ω終端。

　・車両用HVバッテリを使用することが望ましい

○ 供試品(DUT)：

　・グラウンドプレーンの先端から100mm に配置します。

　・シールドルームなどの壁面から最小500mm離します。

　・DUTは規定のインピーダンス、またはケースをグラウンドプレーン上にボンディングして直接取り付ける。

　・充電器の場合、バッテリ充電器のケースはグラウンドプレーン上にボンディングして直接取り付ける。

○ 試験ハーネス：

　・LV 線の場合1700mm (+300/-0 mm）（閉ループ法の場合、1000mm(+200/-0mm)）、HV 線の場合1700mm (+300/-0 mm）（閉ループ法の場合、1000mm(+200/-0mm)）

　・ワイヤーハーネスはDUTから最小1400mm離してできるだけ真っ直ぐにする（閉ループ法の場合、1000mm(+200/-0mm)）

　・ハーネス高さ：50mm ± 5mm の絶縁物の上に配置します。

　・LV 線はグラウンドプレーンの端から100mm ± 10mm の距離に置きます。

　・HV 線はLV 線の試験ハーネスより100mm +100/-0mm の距離に置きます。

　・DUTと電動モータ間が三相線の場合は1000 mm未満。

○ 負荷シミュレータ：

　・グラウンドプレーンに直接配置するのが望ましいです。（負荷シミュレーターが金属製の場合はグラウンドプレーン上に直接配置します。）

〔置換法〕〔閉ループ法〕〔TWC法〕　：非シールドの試験配置と同じのため省略

【シールドされた電源システムを備えたDUTのラインへの注入】

１：DUT

２：グラウンドプレーン

３：低比誘電率サポート

４：グラウンドストラップ

５：低電圧ハーネス

６：高電庄ライン(HV+, HV-)

７：低電圧負荷シミュレータ

８：インピーダンス整合網

９：AN（擬似回路網）

10：HV-AN（高電庄擬似回路網）

11：低電圧電源ライン

12：高電圧電源ライン

13：低電圧電源12V/24V/48V

14：シールドボックス（必要な場合）

15：高電圧電源

16：電源ラインフィルタ

17：貫通管

18：隔壁コネクタ

19：モニタリングシステム

20：インジェクションプローブ

21：高周波装置

22：光ファイバ

23：50Ω終端抵抗

24：モニタープロープ

25：管状波結合器

【電気モーターをテストベンチに取り付けた、シールドされた電源システムを備えたDUTのラインへの注入】

１：DUT

２：グラウンドプレーン

３：低比誘電率サポート

（εr≦1.4）厚さ50mm

４：グラウンドストラップ

５：低電圧ハーネス

６：高電庄ライン(HV+, HV-)

７：低電圧負荷シミュレータ

８：インピーダンス整合網

９：AN（擬似回路網）

10：HV-AN（高電庄擬似回路網）

11：低電圧電源ライン

12：高電圧電源ライン

13：低電圧電源12V/24V/48V

14：シールドボックス（必要な場合）

15：高電圧電源

16：電源ラインフィルタ

17：貫通管

18：隔壁コネクタ

19：モニタリングシステム

20：インジェクションプローブ

21：高周波装置

22：光ファイバ

23：50Ω終端抵抗

24：電気モータ

25：三層モータ電源ライン

26：機械的接続

27：フィルタ処理済み　機械的ベアリング

28：プレーキまたは推進モータ

29：モニタープロープ

30：管状波結合器

【電気モーターをテストベンチに取り付けた、シールドされた電源システムを備えたDUTのモータラインへの注入】

１：DUT

２：グラウンドプレーン

３：低比誘電率サポート

４：グラウンドストラップ

５：低電圧ハーネス

６：高電庄ライン(HV+, HV-)

７：低電圧負荷シミュレータ

８：インピーダンス整合網

９：AN（擬似回路網）

10：HV-AN（高電庄擬似回路網）

11：低電圧電源ライン

12：高電圧電源ライン

13：低電圧電源12V/24V/48V

14：シールドボックス（必要な場合）

15：高電圧電源

16：電源ラインフィルタ

17：貫通管

18：隔壁コネクタ

19：モニタリングシステム

20：インジェクションプローブ

21：高周波装置

22：光ファイバ

23：50Ω終端抵抗

24：電気モータ

25：三層モータ電源ライン

26：機械的接続

27：フィルタ処理済み　機械的ベアリング

28：プレーキ又は推進モータ

29：モニタープロープ

30：管状波結合器

【シールドされた電源システムおよびインバーター／充電器デバイスを備えたDUTのラインへの注入】

１：DUT

２：グラウンドプレーン

３：低比誘電率サポート

４：グラウンドストラップ

５：低電圧ハーネス

６：高電庄ライン(HV+, HV-)

７：低電圧負荷シミュレータ

８：インピーダンス整合網

９：AN（擬似回路網）

10：HV-AN（高電庄擬似回路網）

11：低電圧電源ライン

12：高電圧電源ライン

13：低電圧電源12V/24V/48V

14：シールドボックス（必要な場合）

15：高電圧電源

16：電源ラインフィルタ

17：貫通管

18：隔壁コネクタ

19：モニタリングシステム

20：インジェクションプローブ

21：高周波装置

22：光ファイバ

23：50Ω終端抵抗

24：交流ライン

25：AMN（交流用疑似回路網）

26：負荷シミュレーター（交流用）

27：交流電源

29：モニタープロープ

30：管状波結合器

５．試験の手順

　　各試験法は、電流の校正を行った後にDUTの試験を実施します。

〔BCI-置換法-〕

　　① 非シールド／シールドの其々に対応した試験配置図を参考にDUT、ハーネスおよびその他の付属品を設置します。

　　② 試験の計画に沿ったレベルの信号をDUTに注入します。

　　③ 複数のハーネスがある場合は、そのハーネスごとに試験します。

　　※電流測定プローブの使用は任意です。

〔BCI-閉ループ法-〕

　　① 非シールド／シールドの其々に対応した試験配置図を参考にDUT、ハーネスおよびその他の付属品を設置します。

　　② 各周波数で用いられる手順は下記のとおりです。

　　　　次の条件のいずれかに達するまで、電流インジェクションプローブに注入される電力を増幅させ、注入した電流値を測定します。

　　　　　a.測定した電流が、試験レベルに達する 。

　　　　　b.試験レベル校正時の進行波電力が４倍に達する。

〔TWC法〕

　　① 非シールド／シールドの其々に対応した試験配置図を参考にDUT、ハーネスおよびその他の付属品を設置します。

　　② 試験の計画に沿ったレベルの信号をDUTに注入します。

６．試験の報告書

報告書は、試験の計画で要求のある設備、補助機器、試験範囲、DUT、周波数、電力レベルなど試験に関連する事項を記載してください。

※計画外の事項があれば併せて記載します。

注意：この試験の概要につきましては、ISO11452-4 Ed.5 2020を抜粋したものです。詳細な測定方法などにつきましては、規格書の原文をご確認ください。