半導体デバイス静電気イミュニティ試験

試験概要

デバイスが受ける静電気放電に対する耐性を評価する試験です

どんな試験？ 

帯電した人体又は装置等によって引き起こされる静電気放電を再現し、電子デバイスの耐性を評価するための試験です。

人体モデル（HBM：帯電している物体が人体の場合）及びマシンモデル（MM：帯電している物体が金属体の場合）の試験があります。

どんな脅威を想定？ 

• 半導体デバイスを電子機器に実装するまでの取り扱い中に受ける静電気放電
• デバイス外部の静電気帯電物体に蓄積された静電気が、直接デバイスの端子から流入

 ⇒HBM：外部帯電物体=人体　MM：外部帯電物体=金属筐体

試験器スペック

• 出力電圧：100V〜8.0kV
• 極性：正及び負
• 人体モデル（HBM）プローブ：100pF/1.5kΩ
• マシンモデル（MM）プローブ：200pF/0kΩ
• 繰返し周期0.3〜99s

試験イメージ

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