半導体デバイス静電気試験
半導体デバイス等の電子部品が受ける静電気放電に対する
耐性を評価する試験です
概要
半導体デバイス等の電子部品は、製造ラインや取り扱いの中でライン機械や作業者からの静電気放電により、破損や特性変化等の不具合を引き起こす場合があります。
この試験は、半導体デバイス等の電子部品に静電気を印加することで、静電気放電に対する耐性を評価するものです。
この試験は、半導体デバイス等の電子部品に静電気を印加することで、静電気放電に対する耐性を評価するものです。
想定される脅威
半導体デバイス等の電子部品が実装されるまでに接触しうる機械や機器あるいは作業者からの静電気放電
どんな試験？
想定する評価モデルを以下の2種類から選択し、デバイスの端子間に規定の静電気を印加して耐性を評価します。
■評価モデル
�� 人体モデル（Human Body Model）
人体からの静電気放電を想定。100pF/1.5kΩで評価します。
�� マシンモデル（Machine Model）
機械や機器からの静電気放電を想定。200pF/0Ωで評価します。
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対応規格
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人体モデル（HBM）
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マシンモデル（MM）
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AEC-Q100-002
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AEC-Q100-003
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ESDA ANSI/ESD-STM5.1
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ESDA ANSI/ESD STM5.2
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IEC 61340-3-1
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IEC 61340-3-2
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IEC 60749-26
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IEC 60749-27
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JEDEC JESD22
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JEDEC JESD22
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JEITA EIAJ ED-4701
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JEITA EIAJ ED-4701
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MIL-STD-883J
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試験機仕様
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項 目
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仕 様
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出力電圧
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10V〜8.0kV
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極性
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正および負
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繰返し周期
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0.3s〜99ｓ
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対応モデル
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人体モデル（HBM）プロープ：100pF/1.5kΩ
マシンモデル（MM）プローブ：200pF/0Ω
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試験イメージ
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印加イメージ
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 各試験の詳細 |
 過渡電圧サージ試験 |
