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半導体デバイス静電気イミュニティ試験

半導体デバイスや電子部品が受ける静電気放電に対する

耐性を評価する試験です

概要

電子・電気機器を製造する際に、人体や製造ロボットなどが帯電し、その帯電した電荷が電子部品に放電することによりひき起こる電子部品の不具合は製造メーカーにとって大きな問題となります。
この試験は、半導体デバイスや電子部品が静電気放電耐性を評価するための試験です。

想定される脅威

半導体デバイスを電子機器に実装するまでの取り扱い中における静電気放電

デバイス外部の帯電した物体からの静電気放電

どんな試験?

■人体モデル(HBM)法
帯電した人体から供試品に静電気放電することを想定した試験です。
■マシンモデル(MM)法
帯電した機器等から供試品に静電気放電をすることを想定した試験です。
 

対応規格

人体モデル試験(HBM)
マシンモデル試験(MM)
AEC-Q100-002-Rev.E Aug.2013
AEC-Q100-003-Rev-E Jul.2003
ESDA ANSI/EOS/ESD-STM5.1-2001
ESDA ANSI/ESD STM5.2-1999
IEC61340-3-1Ed.2.0 2006
IEC61340-3-2 Ed.2.0-2006
IEC60749-26 Ed.3.0 2013
IEC60749-27 Ed.2.0-2006
JEDEC JESD22-A114F Dec.2008
JEDEC JESD22-A115C Nov.2010
JEITA EIAJ ED-4701/300 Aug.2001
Test Methood304
JEITA EIAJ ED-4701/300 Aug.2001
Reference Test Method
MIL-STD-883J 3015.9 Jun32013
 

 

主な対応規格および試験器仕様
項 目
仕 様
主な対応規格
EIAJ ED4701、AEC Q 100
出力電圧
100V〜8.0kV
極性
正および負
繰返し周期
0.3〜99s
対応モデル
人体モデル(HBM)プロープ:100pF/1.5kΩ
マシンモデル(MM)プローブ:200pF/0Ω

 

 

試験イメージ

 

フリータイプにて印加したイメージ

 

精密ステージを用いて印加したイメージ (要問合せ)

 

   

 


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